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產(chǎn)品介紹
PRODUCTS
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原位反射光譜研究系統

所屬分類(lèi)
分析測試設備
主要技術(shù)指標：1、整體結構：1.1、系統整體漏率：優(yōu)于1×10E-11Pa·m3/s；1.2、樣品傳輸采用手動(dòng)磁力送樣系統，實(shí)現樣品在手套箱、濺射室、反應室之間傳遞；2、手套箱系統：2.1、單工位操作，帶有一個(gè)進(jìn)樣過(guò)渡艙及一個(gè)出料接口；2.2、手套箱可長(cháng)期維持負壓，手套箱內部氣體壓力維持負400Pa（以大氣壓為基準），壓力偏差范圍負200Pa～負600Pa；3、濺射室系統：3.1、極限真空度優(yōu)于8
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產(chǎn)品描述
參數
主要技術(shù)指標：
1、整體結構：
1.1、系統整體漏率：優(yōu)于 1×10E-11Pa·m3/s；
1.2、樣品傳輸采用手動(dòng)磁力送樣系統，實(shí)現樣品在手套箱、濺射室、反應室之間傳遞；
2、手套箱系統：
2.1、單工位操作，帶有一個(gè)進(jìn)樣過(guò)渡艙及一個(gè)出料接口；
2.2、手套箱可長(cháng)期維持負壓，手套箱內部氣體壓力維持負400Pa（以大氣壓為基準），壓力偏差范圍負200Pa～負600Pa；
3、濺射室系統：
3.1、極限真空度優(yōu)于8.0×10E-6 Pa；系統漏率為：1×10E-11Pa·m3/s；
3.2、濺射室下方安裝有四維運動(dòng)樣品臺，實(shí)現樣品的傳遞與交接；
4、反應室系統：
4.1、極限真空度優(yōu)于8.0×10E-6 Pa；系統漏率為：1×10E-11Pa·m3/s；
4.2、反應室下方安裝有五維運動(dòng)樣品臺，實(shí)現樣品的傳遞與交接；
4.3、樣品加熱溫度：室溫到600℃，程序控溫，控溫精度±0.5℃，加熱器件耐氧化；
5、樣品傳遞系統：
5.1、兩套磁力交接桿，手套箱與濺射室間樣品傳遞，濺射室與反應室間樣品傳遞；
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產(chǎn)品展示

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