氯化物高溫化學(xué)氣相沉積系統
一、設備用途：
高溫CVD設備主要采用在真空下，對樣品加熱作為CVD反應的環(huán)境和條件，通入反應氣體（氯化物等腐蝕性氣體），在板狀樣品或柱狀樣品表面沉積薄膜。
二、技術(shù)指標：
1、整體結構：采用圓柱形真空室前開(kāi)門(mén)鉸鏈結構，真空室圓筒、上下蓋均采用雙層 水冷結構，三部分全部二次加工。真空室所有部件選用耐腐蝕的316L不銹鋼材料制造，所有真空焊接位置要求開(kāi)坡口填料焊接,真空室內外表面電解拋光處理。
2、抽氣系統：
2.1、真空室極限真空度：5.0Pa；
2.2、系統漏率：1×10-7PaL/S；
2.3、抽氣機組：采用愛(ài)得華抽速為15M3/H防腐干泵和KF40手動(dòng)閥門(mén)組成真空抽氣系統。
3、樣品架系統：
兩種樣品架,一種平面樣品架,一種圓筒樣品架；
3.1、平面樣品架：
3.1.1、前后方向移動(dòng)：移動(dòng)范圍以樣品的中心為中心-60mm至+60mm之間可調，電動(dòng)控制；
3.1.2、左右方向振動(dòng)：移動(dòng)范圍以樣品的中心為中心-60mm至+60mm之間可調，電動(dòng)控制；
3.1.3 、平面樣品移動(dòng)采用掃描往復運動(dòng)方式進(jìn)行鍍膜，運動(dòng)方式和速度可編程控制，在鍍膜過(guò)程中噴嘴不動(dòng)；
3.1.3、樣品尺寸：110長(cháng)×110寬×5高mm；
3.1.4、 移動(dòng)速度0.5～5mm/min。
3.2、圓筒樣品架：
3.2.1、前后方向移動(dòng)：移動(dòng)范圍以樣品的中心為中心-60mm至+60mm之間可調，電動(dòng)控制；
3.2.2、樣品轉動(dòng)：速度15-150分鐘/轉可調，電動(dòng)控制；
3.2.3 、圓筒樣品旋轉和平移同時(shí)進(jìn)行，速度可編程控制，在鍍膜過(guò)程中噴嘴不動(dòng)；
3.2.4、樣品尺寸：外徑50×內徑40×長(cháng)度110mm。
4、加熱爐系統：
兩種加熱形式：一種為平面樣品加熱，一種為圓筒型樣品內部加熱。
4.1、平面樣品加熱：
4.1.1、加熱方式：采用輻射電阻加熱方式（石墨加熱片），實(shí)現樣品的加熱。加熱爐安裝真空室下蓋法蘭上（平面樣品下方），加熱爐可電動(dòng)升降，升降40毫米（調節與樣品的距離）；
4.1.2、樣品加熱：樣品可加熱1000℃，控溫精度±1℃；
4.2、圓筒樣品加熱：
4.1.1、加熱方式：采用輻射電阻加熱方式（圓柱石墨筒），實(shí)現樣品的加熱。圓柱石墨加熱體安裝在圓筒樣品內部；
4.1.2、樣品加熱：樣品可加熱1000℃，控溫精度±1℃。
5、氣路系統：
有四路工藝氣體，分別為一路氫氣、一路氫氣和四氯化硅、一路甲烷、一路氮氣。其中一路氫氣和一路甲烷通過(guò)質(zhì)量流量控制器直接進(jìn)入噴淋盒；另一路氫氣為載氣，通過(guò)源灌進(jìn)入噴淋盒；一路氮氣為沖洗管路使用，氮氣連接至四氯化硅流量器入口前方，沖洗流量器與腔體。
6、連鎖保護：設備具有斷水斷電連鎖保護功能，有防止誤操作保護功能；過(guò)壓（1.2大氣壓）斷電斷氣功能。
7、電控系統：
電控系統主要由樣品運動(dòng)控制系統、加熱控制系統、真空參數測量系統、流量控制系統、計算機系統等組成。
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