氧化物高溫化學(xué)氣相沉積系統
一、設備用途：
高溫CVD設備主要采用在真空下，對樣品加熱作為CVD反應的環(huán)境和條件，通入反應氣體，在板狀樣品表面沉積各種氧化物薄膜。
二、技術(shù)指標：
1、整體結構：采用圓柱形真空室前開(kāi)門(mén)鉸鏈結構，真空室雙層水冷（上、下蓋以及圓筒）。真空室選用304材料制造,真空室內外表面電解拋光處理。
2、抽氣系統：
2.1、真空室極限真空度：5.0Pa；
2.2、系統漏率：1×10-7PaL/S；
2.3、抽氣機組：采用國產(chǎn)TRP36直聯(lián)式機械泵1臺及進(jìn)口可控閥門(mén)組成真空抽氣系統；
2.4、壓力控制：采用英?？当∧ひ帲–DG025-100torr）和VATKF40可控閥門(mén)實(shí)現壓力的自動(dòng)閉環(huán)控制。
3、樣品架系統：
3.1、樣品轉動(dòng)：速度1-30轉/分鐘可調，電動(dòng)控制；
3.2、樣品加熱：樣品可加熱1000℃，控溫精度±1℃。
4、氣路系統：
有六路工藝氣體，分別為四路氬氣，一路氨氣，一路氧氣。其中四路氬氣為載氣，通過(guò)質(zhì)量流量控制器進(jìn)入源灌，然后進(jìn)入噴淋盒；氧氣和氨氣分別通過(guò)質(zhì)量流量控制器混氣后直接進(jìn)入噴淋盒。
5、計算機控制系統：
(1)真空的采集顯示及真空度的控制，(2) 溫度的顯示以及溫控表的控制，(3) 樣品以及加熱爐的運動(dòng)控制，(4) 真空機組的控制，(5)各路氣體流量的控制。
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