激光增強化學(xué)氣相沉積(LCVD)鍍膜設備的CVD腔體
一、設備用途：
高溫CVD設備主要采用在真空下，對樣品加熱作為CVD反應的環(huán)境和條件，通入反應氣體，在平面樣品或葉片狀樣品表面沉積薄膜。
二、、技術(shù)指標：
1、整體結構：采用圓柱形真空室前開(kāi)門(mén)鉸鏈結構，真空室帶水冷。真空室選用304不銹鋼材料制造,所有真空焊接位置全部氬弧焊接,真空室外表面電解拋光處理。
2、抽氣系統：
2.1、真空室極限真空度：＜5.0Pa；
2.2、系統漏率：＜1×10-7PaL/S；
2.3、抽氣機組：采用國產(chǎn)TRP36直聯(lián)式機械泵1臺及進(jìn)口蝶閥組成真空抽氣系統；
2.4、壓力控制：采用英?？当∧ひ帲–DG025-100torr）和VATKF40可控閥門(mén)實(shí)現壓力的自動(dòng)閉環(huán)控制。
3、樣品架系統：
兩種樣品架,一種平面樣品架,一種葉片樣品架。
3.1、平面樣品架：
3.1.1 、樣品轉動(dòng)：速度1-50 轉/分鐘可調，電動(dòng)控制；
3.1.2、左右方向移動(dòng)：移動(dòng)范圍0-60mm之間可調，保證40*40mm2激光光斑在樣品旋轉的時(shí)候完全能掃描整個(gè)樣品，電動(dòng)控制；
3.1.3、 平面樣品移動(dòng)采用掃描往復運動(dòng)方式進(jìn)行鍍膜，運動(dòng)方式和速度可編程控制，在鍍膜過(guò)程中噴嘴不動(dòng)；
3.1.4、樣品尺寸：Φ200×5 mm（最大樣品）；
3.1.5、 移動(dòng)速度0.5～5mm/min之間可調。
3.2、葉片樣品架：
3.2.1、前后方向移動(dòng)：移動(dòng)范圍以樣品的中心為中點(diǎn)-40mm至+40mm之間可調，電動(dòng)控制；
3.2.2、樣品轉動(dòng)：速度15-150分鐘/轉可調，電動(dòng)控制；
3.2.3、葉片樣品旋轉和平移同時(shí)進(jìn)行，速度可編程控制，在鍍膜過(guò)程中噴嘴不動(dòng)；
3.2.4、葉片樣品最大尺寸：葉身長(cháng)寬高最大90×50×30（毫米），葉片總尺寸最大130×70×50 （毫米），榫端（固定端）40×50×50（毫米）。
4、加熱爐系統：
兩種加熱形式：一種為平面樣品加熱，一種為葉片型樣品外部加熱。
4.1、平面樣品加熱：
4.1.1、加熱方式：采用輻射電阻加熱方式（硅鉬加熱片），實(shí)現樣品的加熱。加熱爐安裝平面樣品架上（平面樣品下方）；
4.1.2、樣品加熱：樣品可加熱900℃，控溫精度±2℃；
4.2、葉片樣品加熱：
4.2.1、加熱方式：采用輻射電阻加熱方式（圓柱硅鉬筒），實(shí)現樣品的加熱。圓柱硅鉬筒加熱體安裝在葉片樣品外部；
4.2.2、樣品加熱：樣品可加熱900℃，控溫精度±2℃。
5、氣路系統：
有五路工藝氣體，分別為二路氬氣，一路氧氣，一路甲烷和一路氫氣。其中二路氬氣為載氣，通過(guò)質(zhì)量流量控制器進(jìn)入源灌，然后進(jìn)入噴淋盒；氧氣，甲烷和氫氣分別通過(guò)質(zhì)量流量控制器混氣后直接進(jìn)入噴淋盒。
6、電控系統：
電控系統主要由樣品運動(dòng)控制系統、加熱控制系統、真空參數測量系統、流量控制系統、計算機系統等組成。
7、冷卻水系統：系統帶有冷卻循環(huán)水系統，對真空室冷卻。
8、系統帶有斷水斷電、防誤操作聯(lián)鎖保護系統。
三、實(shí)施方案:
主要由真空抽氣及測量系統、反應室系統、樣品臺系統、加熱及控溫系統、氣路系統、輔助系統、電控系統等組成。
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