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產(chǎn)品介紹
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57
274-1

等離子體干法刻蝕裝置升級改造

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產(chǎn)品描述
參數

射頻電源:功率:1kW,頻率13.56MHz。真空室改造:

真空度:由1×10~Pa提高到5×10~Pa;

加工速率:由<100nm/min提高到>500nm/min(以硅為基片材料)偏壓射頻電源功率:500W,頻率13.56MHz。微波源功率:1kW,頻率2.45GHz。

刻蝕均勻性:由原基片中心與邊緣的差值較大改善為小于5%。

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