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單室電子束蒸發(fā)系統

所屬分類(lèi)
蒸發(fā)鍍膜系統
單室電子束蒸發(fā)系統技術(shù)協(xié)議一、設備目的:??設備用于制備高純度、高精度半導體薄膜,導電薄膜、鐵電薄膜及光學(xué)薄膜等。二、技術(shù)要求:1、鍍膜室:鍍膜腔室尺寸約為Φ400*820mm(以實(shí)際設計為準),不銹鋼材料,圓柱形結構,真空室上鉸鏈方門(mén)結構,真空室帶有水冷。2、抽氣系統:采用分子泵+干泵抽氣系統。(甲方自備)2.1、真空度:鍍膜室的極限真空≤6.7×10-5Pa;達到工作壓強時(shí)間:從一個(gè)大氣壓(充
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產(chǎn)品描述
參數

單室電子束蒸發(fā)系統技術(shù)協(xié)議

一、設備目的:

    設備用于制備高純度、高精度半導體薄膜,導電薄膜、鐵電薄膜及光學(xué)薄膜等。

二、技術(shù)要求:

1、鍍膜室:鍍膜腔室尺寸約為Φ400*820mm(以實(shí)際設計為準),不銹鋼材料,圓柱形結構,真空室上鉸鏈方門(mén)結構,真空室帶有水冷。

2、抽氣系統:采用分子泵+干泵抽氣系統。(甲方自備)

2.1、真空度:鍍膜室的極限真空≤6.7×10-5Pa;達到工作壓強時(shí)間:從一個(gè)大氣壓(充入干燥氮氣,不打開(kāi)真空室)至6.7×10-4Pa≤90min;

2.2、系統漏率≤6.7×10-7Pa·L/s;

2.3、真空室帶有旁抽功能;

3、電子槍系統:

    坩堝及轉位四穴、環(huán)形;功率10Kw;270°;XY掃描;10ml;水冷;電子蒸發(fā)速率可控;

4、樣品架系統:

4.1、樣品架可放置3英寸的樣品;

4.2、樣品架可旋轉,旋轉速度為:1~50轉/分可調;

4.3、樣品可加熱,加熱溫度為:室溫~600℃可控;

4.4、樣品臺可上下移動(dòng),與電子槍坩堝距離200-300mm與350-450之間可調;

4.5、樣品與水平方向成30度角,樣品調整結構為豎直方向;

4.6、安裝:樣品安裝在真空室的上蓋上,蒸發(fā)源安裝在真空室的下蓋上,向上蒸發(fā)鍍膜。

5、設備帶有進(jìn)口英富康高精度單探頭膜厚測試儀安裝接口CF35,帶氣動(dòng)擋板。

6、設備帶有斷水斷電連鎖保護報警裝置、防誤操作保護報警裝置。

7. 實(shí)驗室應配有冷卻循環(huán)水機,為真空泵、真空室、膜厚測試儀冷卻。

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