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LZS -400 多功能離子束與磁控濺射鍍膜機系統

一、用途:???本系統為雙室超高真空多功能磁控濺射鍍膜系統,可用于開(kāi)發(fā)單層及多層金屬膜、介質(zhì)膜及氧化物薄膜。二、技術(shù)指標:1.采用雙室立式結構,不銹鋼材料,獨立的抽氣系統,上蓋可升降;離子束室:尺寸約?400;磁控室:尺寸約?400;2.鍍膜室極限真空度:3×10-5Pa,系統漏率:1×10-7Pal/s;3.濺射離子源(8cm)和輔助沉積離子源(6cm)各一個(gè);4.濺射靶:有效尺寸3英寸,數量:
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產(chǎn)品描述
參數

一、用途:

    本系統為雙室超高真空多功能磁控濺射鍍膜系統,可用于開(kāi)發(fā)單層及多層金屬膜、介質(zhì)膜及氧化物薄膜。

二、技術(shù)指標:

1.采用雙室立式結構,不銹鋼材料,獨立的抽氣系統,上蓋可升降;離子束室:尺寸約Ø400;磁控室:尺寸約Ø400;

2.鍍膜室極限真空度:3×10-5Pa,系統漏率:1×10-7Pal/s;

3.濺射離子源(8cm)和輔助沉積離子源(6cm)各一個(gè);

4.濺射靶:有效尺寸3英寸,數量:3支,標準型永磁靶,水冷;濺射靶電源:直流電源2臺:功率:1000W;射頻電源1臺:500W;

5.磁控濺射鍍膜成膜方式:三靶共濺射成膜;

5.濺射室工件架:一次可鍍膜一個(gè)最大有效尺寸直徑2英寸樣品,樣品可加熱,最高8000°C,程序控溫;

6.離子束鍍膜工件架:一次可鍍膜一個(gè)最大有效尺寸直徑2英寸樣品,或多個(gè)小樣品,樣品可加熱,最高5000°C,程序控溫;

7.磁控濺射室樣品可加負偏壓,最高加到-200V;

8.樣品表面于磁控靶面距離130mm±30mm,手動(dòng)連續可調;

9.磁控濺射是樣品可連續實(shí)現自傳,轉速為0~50轉/分,連續可調可控;

10.鍍膜過(guò)程采用計算機控制,具有復位功能、確認靶位功能、濺射鍍膜時(shí)間控制功能、樣品自轉控制功能、擋板控制功能、轉靶靶位控制功能。

三、主要組成:

    主要由真空抽氣及測量系統、磁控濺射鍍膜系統、離子束濺射鍍膜系統、氣路系統、冷卻劑水壓報警系統、電控及計算機控制系統、輔助系統等組成。

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