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產(chǎn)品介紹
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負離子源真空腔室與功能集成系統

所屬分類(lèi)
等離子體研究設備
開(kāi)爾文探針室系統技術(shù)指標:1、開(kāi)爾文探針室本底真空:可達到6×10-6Pa;系統漏率:優(yōu)于1×10-7Pa.L/S。2、四維樣品臺。磁控濺射鍍膜系統技術(shù)指標:1.極限真空:6.0×10-6Pa;系統漏率:1×10-7Pa.L/S。2.抽速:短時(shí)間暴露干燥氮氣后,可在40分鐘內將真空室真空抽至6×10-4Pa。3.磁控靶:Lesker2英寸磁控靶3個(gè)。4.樣品臺:Φ40mm的平面樣品一個(gè);5.氣路:
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產(chǎn)品描述
參數
開(kāi)爾文探針室系統技術(shù)指標:
1、開(kāi)爾文探針室本底真空:可達到6×10-6Pa;系統漏率:優(yōu)于1×10-7Pa.L/S。
2、四維樣品臺。
磁控濺射鍍膜系統技術(shù)指標:
1.極限真空:6.0×10-6Pa;系統漏率:1×10-7Pa.L/S。
2.抽速:短時(shí)間暴露干燥氮氣后,可在40分鐘內將真空室真空抽至6×10-4Pa。
3.磁控靶:Lesker 2英寸磁控靶3個(gè)。
4.樣品臺:Φ40mm的平面樣品一個(gè);
5.氣路:兩路進(jìn)氣(Ar、O2),用質(zhì)量流量控制器控制進(jìn)氣流量。
等離子體發(fā)生及作用系統技術(shù)指標:
1.極限真空:達到10-5Pa;系統漏率:1×10-7Pa.L/S。
2.在腔室進(jìn)氣量為300sccm時(shí),真空室氣壓維持在0.5Pa。
3.負離子轉化實(shí)驗樣品臺:Φ40mm的平面樣品一個(gè)。
4.等離子體與材料相互作用樣品臺:Φ40mm的平面樣品一個(gè)。
5.配置等離子體發(fā)生及磁約束系統和束流探測系統各一套。
6.氣路:四路工藝氣體(氬氣,氫氣,氮氣,氦氣),用質(zhì)量流量控制器控制進(jìn)氣流量。
樣品轉接系統技術(shù)指標:
1.極限真空:達到10-6Pa;系統漏率:1×10-7Pa.L/S。
2.轉動(dòng)伸縮樣品臺:可精確控制樣品傳遞桿沿交接方向伸縮移動(dòng)。
3.樣品臺同其他三套系統的樣品交接傳遞實(shí)驗測試,交接狀況良好,取樣、換樣方便。
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產(chǎn)品展示

高溫化學(xué)氣相沉積系統
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