主要技術(shù)指標：
1．腔體1（磁控濺射鍍膜系統）
1.1、真空抽氣及測量系統
1.1.1、系統漏率：≤1.0×10-10Pa•m3/s。
1.1.2、配有真空計，真空計能測試1.0×105Pa至5.0×10-8Pa范圍真空度。
1.3、真空腔體系統
結構：鍍膜腔體材料為304不銹鋼材料，SΦ600球形真空腔體，前方開(kāi)門(mén)鉸鏈結構，方便裝取樣品。
1.4、磁控靶系統
1.4.1、平面樣品磁控靶排布：平面樣品鍍膜共采用四套3英寸磁控靶實(shí)現鍍膜；磁控靶安裝在腔體下底靶面傾斜向上，樣品架安裝在腔體上蓋頂，樣品被鍍表面朝下，自下向上共濺射成膜的方式；磁控靶軸線(xiàn)與樣品法線(xiàn)成39°角，磁控靶軸心指向樣品中心，與樣品距離為170～210mm可調。
1.4.2、柱狀樣品磁控靶排布：柱狀樣品鍍膜共采用靶套3英寸磁控靶實(shí)現鍍膜；四套磁控靶安
裝在腔體上部靶面傾斜向下，磁控靶軸線(xiàn)與樣品法線(xiàn)成50º角，磁控靶軸心指向柱狀樣品上邊緣，與樣品距離為160～200mm可調；另外四套借用平面樣品架磁控靶。
2．腔體2（電子束蒸發(fā)鍍膜系統）
2.1、真空抽氣及測量系統
2.1.1、系統漏率：≤1.0×10-10Pa•m3/s。
2.1.2、配有真空計，真空計能測試1.0×105Pa至5.0×10-8Pa范圍真空度。
2.2、真空腔體系統
2.2.1、結構：鍍膜腔體材料為304不銹鋼材，內尺寸約為Φ550×620mm圓柱型真空腔體，前
2.3、電子槍系統
2.3.1、電子槍安裝在真空腔體正下方，采用從下向上的鍍膜方式鍍膜，坩堝中心與平面樣品軸心同軸，
坩堝與樣品距離為300mm。電子槍坩堝驅動(dòng)、高壓電極法蘭及掃描法蘭開(kāi)口尺寸為Φ32mm，密封方式采用螺母鎖緊氟膠圈密封結構。
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