MOCVD系統
一、主要用途：
金屬有機化學(xué)氣相沉積系統主要用于金屬氫化物薄膜的制備。
二、技術(shù)指標：
1．尺寸：真空室直徑約400mm，高度約450mm，材料：不銹鋼；
2．真空度：背景真空8.0×10-6Pa，漏率為：1.0×10-7PaL/s；
3．真空室壓力調節范圍0.1Pa～500Pa，精度±1％； 等離子體產(chǎn)生方式為RF射頻電感耦合放電，頻率13.56MHz，功率0～500W連續可調；
4. 襯底可以旋轉和控溫，旋轉速率0～60rpm連續可調，旋轉平穩度好，最高溫度800℃，控溫精度±1K，襯底盤(pán)直徑80mm，在軸線(xiàn)方向位 置可調，距離真空室頂部50mm～150mm；
5.烘烤照明：采用碘鎢燈加熱烘烤方式，對真空室進(jìn)行烘烤除氣，也可以當作照明用，加熱溫度為室溫至200度，程序控溫；
6.MO蒸氣采用兩處進(jìn)氣的方式，其一，從等離子體產(chǎn)生室頂部進(jìn)氣，其出口在石英腔中的位置可以調整，其二，從真空室側面進(jìn)氣送入等離子體區域離化反應。
7.計算機控制系統：實(shí)現VAT閘板閥的控制及流量計的控制功能、電機的轉動(dòng)及升降的控制功能、溫度及真空度的采集功能、壓力控制及各閥開(kāi)關(guān)的控制功能。
三、系統組成：
本設備主要由配氣系統、真空室及真空系統、控制系統三部分組成。
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