ZF- 550 電子束/熱蒸發(fā)真空鍍膜系統
ZF- 550 電子束/熱蒸發(fā)真空鍍膜系統
一、用途：保密。
二、技術(shù)指標：
1. 蒸鍍室極限真空度：5×10-5Pa,系統漏率：1×10-7PaL/S；壓升率：停泵關(guān)機12小時(shí)后真空度小于等于5Pa；
2. 腔體內兩套蒸發(fā)裝置，一套為熱蒸發(fā)；另外一套為電子束蒸發(fā)系統；
3. 熱蒸發(fā)裝置為兩個(gè)蒸發(fā)舟，含加熱和控溫裝置，控溫精度要求：±1℃程序可控；
4. 兩個(gè)蒸發(fā)源分別為：大蒸發(fā)源內徑為6cm高度為7.5cm圓柱狀蒸發(fā)源，小蒸發(fā)源內徑為2cm高度為2.5cm蒸發(fā)源；
5. 大小蒸發(fā)舟的加熱溫度為200~900℃；控溫精度為±1℃，程序控溫；最大溫差：5 ℃以?xún)?，平衡時(shí)間：3分鐘以?xún)?，升溫速率?～20℃/分鐘可調可控；
6. 三個(gè)蒸發(fā)系統的蒸發(fā)面在同一水平面上，蒸發(fā)系統表面距樣品表面中心的高度距離為250±50mm；
7. 工件架：在腔體內保證樣品的法線(xiàn)方向與鉛垂直方向的夾角在15°～45°之間連續可調，在調節桿上作出角度調節標記，以方便調節；
8. 工件架：公轉架轉速（即換位轉速）在0～30 轉/分鐘, 自轉架轉速在0-60轉/分鐘之間程序可調；
9. 工件架上的樣品基片可以通過(guò)紅外燈進(jìn)行加熱，加熱溫度從室溫到200℃程序可調可控；
10. 基片架中心和蒸發(fā)源之間的距離的調節范圍為200～300 mm；在調節桿上標注出蒸發(fā)源口離樣品中心的垂直距離；
11. E型電子槍?zhuān)汗β?Kw、270°，坩堝容量：4×7cc ；
12. 計算機控制系統:具有樣品旋轉控制功能、熱蒸發(fā)蒸發(fā)舟加熱控制功能、蒸發(fā)舟擋板控制與開(kāi)啟功能、電子束蒸發(fā)系統的采集功能、電子束蒸發(fā)系統擋板的控制與開(kāi)啟功能、膜厚測試儀擋板的控制和開(kāi)啟功能、真空度的采集功能。
三、主要組成：
該蒸鍍設備主要由真空抽氣及真空測量系統、真空室系統、工件架系統、熱蒸發(fā)源系統、E型電子槍及控制電源系統、膜厚測試系統、擋板系統、烘烤照明系統、水冷卻循環(huán)及報警系統、電控及計算機控制系統、臺架系統、輔助系統等組成。
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