真空半導體薄膜系統
一、系統技術(shù)指標：
1、真空系統：
1.1、采用真空泵作為真空獲得系統，由兩級泵設計，分別為分子泵（中科科儀1200L/s）+干泵(8L/s瓦里安)；
1.2、真空度：3小時(shí)左右到達極限真空8*10-5PA（冷態(tài)）；漏率小于1x10-9Torr.L/S。
2、腔體（chamber）：
2.1、主體：壁厚8mm，材質(zhì)為1Cr18Ni9Ti不銹鋼，外腔凈尺寸Ф500mm*600mm；
2.2、腔體進(jìn)行拋光處理和應力處理，保證5年內真空室主體和開(kāi)門(mén)無(wú)變形，無(wú)泄露；
2.3、腔體要求密封，出廠(chǎng)前進(jìn)行檢漏測試，泄露小于漏率小于1x10-9Torr.L/S方為合格；
2.4、真空室外表面帶有水道（密一些），對真空室進(jìn)行冷卻；
2.5、真空室前門(mén)位于前方正中心，距離底部300mm，帶有鉸鏈結構，氟橡膠圈密封，靠近真空室一側帶有水道；
2.6、真空室正上方Φ50及斜上方Φ150觀(guān)察窗采用CF標準觀(guān)察窗，斜上方150觀(guān)察窗中心線(xiàn)正好到達樣品中心，能完全看到4英寸的樣品，需要觀(guān)察窗手動(dòng)擋板。；
2.7、除前開(kāi)門(mén)外，所有密封口均采用無(wú)氧銅金屬密封。
3、 感應加熱：在腔體中心有一圓盤(pán)式的感應加熱元件，溫度在1400-1600攝氏度（圓盤(pán)直徑127mm,厚10mm), 因此腔體內部需要有反射層（拋光或者加耐高溫反射涂層），外部有水冷管。感應電源接口為直徑4.5英寸的標準法蘭（甲方自制），乙方只做CF63的標準法蘭接口,法蘭中心距離腔體底部250mm；
4、設備配有手動(dòng)恒壓控制，采用質(zhì)量流量控制器+干泵+手動(dòng)閘板閥來(lái)控制真空室壓力恒定；
5、常壓模式通過(guò)流量控制氫氣進(jìn)入真空室，進(jìn)氣口放置在腔體頂部，設計成噴頭形式；
6、真空室底部通過(guò)CF16閥門(mén)打開(kāi)排放到實(shí)驗室尾氣回收系統；
7、設計系統具有斷水報警，切斷相應電源功能。
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