超高真空磁控濺射鍍膜系統
超高真空磁控濺射鍍膜系統
一、設備用途：
設備主要制備單層膜、多層膜和多組份的金屬膜、合金膜、氧化物薄膜等。
二、技術(shù)指標：
1、采用單室立式電動(dòng)上蓋升降結構；
2、濺射室極限真空度：6.7×10-5Pa，系統漏率：1×10-7PaL/S；
3、壓力測量：采用進(jìn)口美國英?？倒旧a(chǎn)的薄膜壓力規進(jìn)行工作壓力測量；
4、磁控靶及電源：
4.1、磁控靶：3英寸磁控靶3個(gè)，標準型永磁靶（非強磁性）2個(gè)，強磁靶（鍍磁性材料）1個(gè)，水冷，與法蘭采用氟橡膠圈密封，采用進(jìn)口美國Kurt J.Lesker公司生產(chǎn)的磁控靶；
4.2、電源：RF：600W，1臺，美國AE公司；
DC：500W，1臺，美國AE公司；
4.3、靶基距：靶表面與樣品垂直距離為100mm±20mm，用光軸加直線(xiàn)軸承導向，可手動(dòng)連續調節，有刻度指示；
4.4、擋板：采用磁流體密封轉軸轉動(dòng)密封，電機帶動(dòng)，計算機控制；
5、鍍膜方式：鍍膜方式采用三靶共濺射成膜或者單靶濺射成膜；
6、樣品臺：具有加熱、旋轉功能；
6.1、樣品尺寸：一工位可加熱旋轉樣品臺一套；最大可放置Φ50mm的樣品一個(gè)， 有效均勻區為：Φ50mm；
6.2、樣品臺的加熱爐最高加熱溫度為800℃，程序控溫，控溫精度±1℃；
6.3、樣品實(shí)現自轉，轉速為：0~50轉/分；
7、氣路：三路進(jìn)氣（N2、Ar、O2），分別用質(zhì)量流量控制器控制；
8、濺射室烘烤照明：采用紅外加熱除氣方式，烘烤溫度：150℃；
9、真空室內有襯板，避免濺射材料直接濺射到濺射室真空壁上；
10、設備具有斷水斷電連鎖保護功能；
11、濺射鍍膜過(guò)程采用計算機控制，具有：（1）真空度采集；（2）確認靶位功能；（3）濺射鍍膜時(shí)間控制功能；（4）樣品自轉控制功能；（5）靶擋板開(kāi)啟控制功能；（6）流量設定和控制功能等控制。
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