主要技術(shù)指標：1.磁控濺射（離子源沉積）鍍膜設備技術(shù)指標：?滿(mǎn)足樣品尺寸：長(cháng)250mm×寬200mm×厚150mm；?有效鍍膜區域：150mm×100mm；?極限真空：小于7.0×10-5Pa（環(huán)境濕度≤55%）；?真空室漏氣率：≤5.0×10-8Pa·L/s；?抽氣速率：系統短時(shí)間暴露大氣并充干燥N2開(kāi)始抽氣，分子泵正常工作后濺射室60分鐘可達到8.0×10-4Pa；?真空獲得系統停泵關(guān)機12小時(shí)后真空度：≤5Pa；?氣路：三路氣路，包含氬氣、氧氣、氮氣；?滿(mǎn)足濺射材料：金屬、合金等導電材料，特別是Al、NiCrAlY、NiCr/NiSi、Pt/PtRh等材料；?濺射靶：磁控濺射靶兩只；?濺射不均勻性：≤±5%（150mm×100mm范圍內）；?工件臺旋轉：轉速1~35rpm可調；?樣品加熱：樣品表面溫度可達600℃，自動(dòng)測溫、控溫，多段控溫模式。2.電子束蒸發(fā)鍍膜設備技術(shù)指標?滿(mǎn)足樣品尺寸：長(cháng)250mm×寬200mm×厚150mm；?有效鍍膜區域：150mm×100mm；?極限真空：小于7.0×10-5Pa（環(huán)境濕度≤55%）；?真空室漏氣率：≤5.0×10-8Pa·L/s；?抽氣速率：系統短時(shí)間暴露大氣并充干燥N2開(kāi)始抽氣，分子泵正常工作后真空室60分鐘可達到8.0×10-4Pa；?滿(mǎn)足蒸發(fā)材料：Al2O3等絕緣材料；?蒸發(fā)濺射不均勻性：≤±6%（平面樣品150mm×100mm范圍內）；?離子源：出口束徑不小于Φ150mm，滿(mǎn)足清洗和輔助沉積功能；?氣路兩路，可控制O2、Ar2；?件臺旋轉：可自轉，轉速1~35rpm可調；?樣品加熱：樣品最高可達800℃，自動(dòng)測溫、控溫，多段控溫模式；?在線(xiàn)膜厚監測系統：監測厚度顯示范圍：0~99μ9999?，厚度顯示分辨率：1?，速率顯示范圍：0~9999.9?，速率顯示分辨率：0.1?。