一、設備用途：
高溫CVD設備主要采用在真空下，對樣品加熱作為CVD反應的環(huán)境和條件，通入反應氣體（H2、C3H6、Ar、TaCl5和MTS），在圓板狀樣品表面沉積薄膜。
二、技術(shù)規格及要求：
1、工位及結構：?jiǎn)喂の?、立式、下蓋電動(dòng)雙升降雙層水冷不銹鋼結構；
2、控制方式：手動(dòng)；
3、極限真空度：<10Pa（冷態(tài)）,系統漏率優(yōu)于2.0×10-6PaL/s；
4、采用石墨加熱元件，石墨屏蔽層，加熱最高溫度：1500℃；爐腔內徑約為：200mm；控溫方式：程序升溫；恒溫區高度：100mm；頂部進(jìn)氣；底部開(kāi)口可升、降。
5、有效工作區溫度控制精度：±1℃；有效工作區溫度均勻性：±5℃；
6、加熱有效均勻區為Ø50×100 mm（樣品尺寸Ø50mm）。
7、加熱體采用石墨兩區加熱（上段加熱體長(cháng)為100mm，下段加熱體長(cháng)為150mm）、分區控溫方式，獨立的控制電源，程序控溫，PID調節；
8、抽氣系統采用機械泵抽氣系統，抽速：13.3L/S；
9、采用上進(jìn)氣方式，進(jìn)氣流量采用質(zhì)量流量控制器進(jìn)行控制；
10、氣體/原料：5路；氣路為1～3路：量程100～500sccm；原料為4、5路：蒸發(fā)器；管道伴熱；氣體主要由H2、C3H6、Ar，有機源主要由TaCl5和MTS，有機源通過(guò)H2作為載氣進(jìn)入反應室；
11、在抽氣過(guò)程中未達到真空狀態(tài)(10Pa以下)設有禁止加熱保護，使用過(guò)程中如系統突然暴露大氣也應能處于保護狀態(tài)，系統帶有連鎖保護，避免部件的損壞。
三、系統實(shí)施方案及組成
本設備主要由真空獲得(測量)及充放氣系統、真空室系統、加熱爐及控溫系統、氣路系統、 輔助系統、電氣控制系統等幾部分組成
總 機：024-23758583
傳 真：024-89422961
總經(jīng)理電話(huà)：13804984297/024-23758583-607
市 場(chǎng) 部（售后服務(wù)）：024-23758583-610 13840375510
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